Die Detektion von CO(tief)2 wird durch bildgebende Technologien für den infraroten Spektralbereich ermöglicht. Die Detektorelemente basieren auf dem Materialsystem InAs/GaSb-Übergitter. Das von Avalanchedioden bekannte Rauschmodell lässt sich auf das experimentell gefundene Eigenrauschen der Übergitterdetektoren applizieren. Mithilfe der entwickelten Methodik, lässt sich eine Prognose über die zu erreichende Materialqualität der Übergitter abgeben.
Aktualisiert: 2023-06-01
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In dieser Arbeit werden die spektralen Eigenschaften sowie die interne Verstärkung bei hohen elektrisch Feldstärken Aluminium-Gallium-Nitrid-basierter Avalanche Photioden mit hohem Aluminiumgehalt x(tief)Al > 0.60 untersucht. Die Bauteile zeigen interne Verstärkungen von bis zu M = 10(hoch)5. Der Franz-Keldysh-Effekt wird in den Bauteilen beobachtet. Eigenschaften von Störstellen können für Elektroabsorption von zentraler Bedeutung sein.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Die Herstellung des kubischen Galliumoxidnitrids über die Reaktion von GaN und Ga2O3 bedingt die Verwendung von Hochdruck-Hochtemperatur-Verfahren, die nur geringe Materialmengen liefern. Bisher existiert daher keine umfassende Charakterisierung der Materialeigenschaften. In dieser Arbeit werden zwei alternative Syntheserouten des kubischen Galliumoxidnitrids untersucht, welche die Herstellung größerer Mengen unter reduzierten Druck-Temperatur-Bedingungen ermöglichen. Der erste Teil widmet sich einem Verfahren, das auf der Pyrolyse organometallischer Precursoren basiert. Es wird eine detaillierte chemische, strukturelle und optoelektronische Charakterisierung der Precursor-abgeleiteten Galliumoxidnitride präsentiert. Abschließend wird die Möglichkeit evaluiert aus den amorphen Materialien die kubische Modifikation des Galliumoxidnitrids in einer heißisostatischen Presse zu kristallisieren. Der zweite Teil beschreibt die solvothermale Synthese von stickstoffarmen, kubischen Galliumoxidnitriden. Neben der chemischen und strukturellen Untersuchung liegt der Fokus auf dem Einfluss des Gitterstickstoffs auf die optischen Bandlücken und die Defektlumineszenz der Galliumoxidnitride.
Aktualisiert: 2023-06-01
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In dieser Arbeit werden die spektralen Eigenschaften sowie die interne Verstärkung bei hohen elektrisch Feldstärken Aluminium-Gallium-Nitrid-basierter Avalanche Photioden mit hohem Aluminiumgehalt x(tief)Al > 0.60 untersucht. Die Bauteile zeigen interne Verstärkungen von bis zu M = 10(hoch)5. Der Franz-Keldysh-Effekt wird in den Bauteilen beobachtet. Eigenschaften von Störstellen können für Elektroabsorption von zentraler Bedeutung sein.
Aktualisiert: 2023-03-31
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Die Detektion von CO(tief)2 wird durch bildgebende Technologien für den infraroten Spektralbereich ermöglicht. Die Detektorelemente basieren auf dem Materialsystem InAs/GaSb-Übergitter. Das von Avalanchedioden bekannte Rauschmodell lässt sich auf das experimentell gefundene Eigenrauschen der Übergitterdetektoren applizieren. Mithilfe der entwickelten Methodik, lässt sich eine Prognose über die zu erreichende Materialqualität der Übergitter abgeben.
Aktualisiert: 2023-03-31
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Die Herstellung des kubischen Galliumoxidnitrids über die Reaktion von GaN und Ga2O3 bedingt die Verwendung von Hochdruck-Hochtemperatur-Verfahren, die nur geringe Materialmengen liefern. Bisher existiert daher keine umfassende Charakterisierung der Materialeigenschaften. In dieser Arbeit werden zwei alternative Syntheserouten des kubischen Galliumoxidnitrids untersucht, welche die Herstellung größerer Mengen unter reduzierten Druck-Temperatur-Bedingungen ermöglichen. Der erste Teil widmet sich einem Verfahren, das auf der Pyrolyse organometallischer Precursoren basiert. Es wird eine detaillierte chemische, strukturelle und optoelektronische Charakterisierung der Precursor-abgeleiteten Galliumoxidnitride präsentiert. Abschließend wird die Möglichkeit evaluiert aus den amorphen Materialien die kubische Modifikation des Galliumoxidnitrids in einer heißisostatischen Presse zu kristallisieren. Der zweite Teil beschreibt die solvothermale Synthese von stickstoffarmen, kubischen Galliumoxidnitriden. Neben der chemischen und strukturellen Untersuchung liegt der Fokus auf dem Einfluss des Gitterstickstoffs auf die optischen Bandlücken und die Defektlumineszenz der Galliumoxidnitride.
Aktualisiert: 2023-03-31
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Im Rahmen dieser Dissertation wird der Einfluss von den aktiven Bereich durchstoßenden Versetzungen auf die Lumineszenz-Eigenschaften von (AlGaIn)N-basierten Leuchtdioden mit Emissionswellenlängen um 400 nm untersucht. Der Schwerpunkt liegt dabei auf den sich aus einer reduzierten Versetzungsdichte ergebenden Möglichkeiten zur Variation des Schichtaufbaus des aktiven Bereichs und deren Einfluss auf das nicht-thermische Überrollen.
Aktualisiert: 2020-10-29
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