Analyse der Rauschmechanismen von Photodetektoren aus InAs/GaSb-Übergittern für den infraroten Spektralbereich.

Analyse der Rauschmechanismen von Photodetektoren aus InAs/GaSb-Übergittern für den infraroten Spektralbereich. von Ambacher,  Oliver, Wörl,  Andreas
Die Detektion von CO(tief)2 wird durch bildgebende Technologien für den infraroten Spektralbereich ermöglicht. Die Detektorelemente basieren auf dem Materialsystem InAs/GaSb-Übergitter. Das von Avalanchedioden bekannte Rauschmodell lässt sich auf das experimentell gefundene Eigenrauschen der Übergitterdetektoren applizieren. Mithilfe der entwickelten Methodik, lässt sich eine Prognose über die zu erreichende Materialqualität der Übergitter abgeben.
Aktualisiert: 2023-06-01
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AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralbereich.

AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralbereich. von Ambacher,  Oliver, Watschke,  Lars
In dieser Arbeit werden die spektralen Eigenschaften sowie die interne Verstärkung bei hohen elektrisch Feldstärken Aluminium-Gallium-Nitrid-basierter Avalanche Photioden mit hohem Aluminiumgehalt x(tief)Al > 0.60 untersucht. Die Bauteile zeigen interne Verstärkungen von bis zu M = 10(hoch)5. Der Franz-Keldysh-Effekt wird in den Bauteilen beobachtet. Eigenschaften von Störstellen können für Elektroabsorption von zentraler Bedeutung sein.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Antimonidische Übergitter Infrarot-Photodioden mit reduziertem Dunkelstrom.

Antimonidische Übergitter Infrarot-Photodioden mit reduziertem Dunkelstrom. von Ambacher,  Oliver, Schmidt,  Johannes
Der die Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterphotodioden limitierende Dunkelstrom kann durch eine Anpassung des Bauteilkonzeptes deutlich reduziert werden. Detektoren mit einem solchen Heteroübergang können dann bei höheren Temperaturen betrieben werden, was deutliche Einsparungen bei der nötigen Kühlleistung ermöglicht und Detektorsysteme kleiner und leichter macht.
Aktualisiert: 2023-06-01
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InGaAs-Avalanche-Photodioden für bildgebende Verfahren im kurzwelligen Infrarot.

InGaAs-Avalanche-Photodioden für bildgebende Verfahren im kurzwelligen Infrarot. von Kleinow,  Philipp
Hochempfindliche InGaAs-Detektoren für das kurzwellige Infrarot bieten Eigenschaften, die in der Verteidigungs- und Sicherheitstechnik genutzt werden können. Zur zuverlässigen Detektion schwacher optischer Signale sind Avalanche-Photodioden (APDs) mit ihrer Signalverstärkung bestens geeignet. Durch die Weiterentwicklung von APD-Strukturen konnte hier das mit 640×512 Pixeln erste hochauflösende InGaAs/InAlAs-APD-Array demonstriert werden.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Einfluss der Kristallinität von TiO(tief)2-Dünnschichten auf den photokatalytischen Stickstoffmonoxid-Abbau.

Einfluss der Kristallinität von TiO(tief)2-Dünnschichten auf den photokatalytischen Stickstoffmonoxid-Abbau. von Graumann,  Tobias
In dieser Arbeit wurde die photokatalytische Depositionsgeschwindigkeit des Stickstoffmonoxid-Abbaus von mittels thermischer Atomlagenabscheidung abgeschiedenen Titandioxid-Photokatalysatoren evaluiert. Hierfür wurden die geeigneten Prozessfenster zur Abscheidung von kristallinem Titandioxid identifiziert und eine Bewertung der photokatalytischen Wirksamkeit unter Betrachtung der jeweiligen kinetischen Modellierung durchgeführt.
Aktualisiert: 2023-06-01
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DASS 2016.

DASS 2016. von Gleichner,  Christian, Vierhaus,  Heinrich T.
Die Dresdner Arbeitstagung Schaltungs- und Systementwurf (DASS) besitzt eine langjährige Tradition als bedeutende Fachveranstaltung am Mikroelektronikstandort Sachsen. Sie bietet vor allem Nachwuchswissenschaftlern Gelegenheit, ihre Arbeiten in diesem Fachgebiet zu präsentieren. Die Tagung ist aber auch ein Podium, um Probleme aus der industriellen Praxis vorzustellen und im Kontext neuer Erkenntnisse aus der Forschung zu diskutieren. Ziel ist der Dialog zu aktuellen Ansätzen und Ideen für elektronische und heterogene Systeme sowie die damit verbundenen Anforderungen an die Entwurfsunterstützung.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Einfluss der Kristallinität von TiO(tief)2-Dünnschichten auf den photokatalytischen Stickstoffmonoxid-Abbau.

Einfluss der Kristallinität von TiO(tief)2-Dünnschichten auf den photokatalytischen Stickstoffmonoxid-Abbau. von Graumann,  Tobias
In dieser Arbeit wurde die photokatalytische Depositionsgeschwindigkeit des Stickstoffmonoxid-Abbaus von mittels thermischer Atomlagenabscheidung abgeschiedenen Titandioxid-Photokatalysatoren evaluiert. Hierfür wurden die geeigneten Prozessfenster zur Abscheidung von kristallinem Titandioxid identifiziert und eine Bewertung der photokatalytischen Wirksamkeit unter Betrachtung der jeweiligen kinetischen Modellierung durchgeführt.
Aktualisiert: 2023-03-31
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AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralbereich.

AlGaN-basierte Avalanche-Photodioden für den UV-C Spektralbereich. von Ambacher,  Oliver, Watschke,  Lars
In dieser Arbeit werden die spektralen Eigenschaften sowie die interne Verstärkung bei hohen elektrisch Feldstärken Aluminium-Gallium-Nitrid-basierter Avalanche Photioden mit hohem Aluminiumgehalt x(tief)Al > 0.60 untersucht. Die Bauteile zeigen interne Verstärkungen von bis zu M = 10(hoch)5. Der Franz-Keldysh-Effekt wird in den Bauteilen beobachtet. Eigenschaften von Störstellen können für Elektroabsorption von zentraler Bedeutung sein.
Aktualisiert: 2023-03-31
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Analyse der Rauschmechanismen von Photodetektoren aus InAs/GaSb-Übergittern für den infraroten Spektralbereich.

Analyse der Rauschmechanismen von Photodetektoren aus InAs/GaSb-Übergittern für den infraroten Spektralbereich. von Ambacher,  Oliver, Wörl,  Andreas
Die Detektion von CO(tief)2 wird durch bildgebende Technologien für den infraroten Spektralbereich ermöglicht. Die Detektorelemente basieren auf dem Materialsystem InAs/GaSb-Übergitter. Das von Avalanchedioden bekannte Rauschmodell lässt sich auf das experimentell gefundene Eigenrauschen der Übergitterdetektoren applizieren. Mithilfe der entwickelten Methodik, lässt sich eine Prognose über die zu erreichende Materialqualität der Übergitter abgeben.
Aktualisiert: 2023-03-31
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Antimonidische Übergitter Infrarot-Photodioden mit reduziertem Dunkelstrom.

Antimonidische Übergitter Infrarot-Photodioden mit reduziertem Dunkelstrom. von Ambacher,  Oliver, Schmidt,  Johannes
Der die Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterphotodioden limitierende Dunkelstrom kann durch eine Anpassung des Bauteilkonzeptes deutlich reduziert werden. Detektoren mit einem solchen Heteroübergang können dann bei höheren Temperaturen betrieben werden, was deutliche Einsparungen bei der nötigen Kühlleistung ermöglicht und Detektorsysteme kleiner und leichter macht.
Aktualisiert: 2023-03-31
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DASS 2016.

DASS 2016. von Gleichner,  Christian, Vierhaus,  Heinrich T.
Die Dresdner Arbeitstagung Schaltungs- und Systementwurf (DASS) besitzt eine langjährige Tradition als bedeutende Fachveranstaltung am Mikroelektronikstandort Sachsen. Sie bietet vor allem Nachwuchswissenschaftlern Gelegenheit, ihre Arbeiten in diesem Fachgebiet zu präsentieren. Die Tagung ist aber auch ein Podium, um Probleme aus der industriellen Praxis vorzustellen und im Kontext neuer Erkenntnisse aus der Forschung zu diskutieren. Ziel ist der Dialog zu aktuellen Ansätzen und Ideen für elektronische und heterogene Systeme sowie die damit verbundenen Anforderungen an die Entwurfsunterstützung.
Aktualisiert: 2023-03-31
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InGaAs-Avalanche-Photodioden für bildgebende Verfahren im kurzwelligen Infrarot.

InGaAs-Avalanche-Photodioden für bildgebende Verfahren im kurzwelligen Infrarot. von Kleinow,  Philipp
Hochempfindliche InGaAs-Detektoren für das kurzwellige Infrarot bieten Eigenschaften, die in der Verteidigungs- und Sicherheitstechnik genutzt werden können. Zur zuverlässigen Detektion schwacher optischer Signale sind Avalanche-Photodioden (APDs) mit ihrer Signalverstärkung bestens geeignet. Durch die Weiterentwicklung von APD-Strukturen konnte hier das mit 640×512 Pixeln erste hochauflösende InGaAs/InAlAs-APD-Array demonstriert werden.
Aktualisiert: 2023-03-31
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