In dieser Arbeit werden verschiedene Mikrowellenplasmaunterstützte Prozesse untersucht. Es werden Ätz- und Abscheideprozesse erforscht, die in der Halbleitertechnologie nötig sind. Dabei wird darauf geachtet, dass die Prozesstemperatur sehr gering ist. Durch die in der Arbeit untersuchten plasmaunterstützten Prozesse, kann eine epitaktische Siliziumschicht bereits bei 450 °C abgeschieden werden.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Hochempfindliche InGaAs-Detektoren für das kurzwellige Infrarot bieten Eigenschaften, die in der Verteidigungs- und Sicherheitstechnik genutzt werden können. Zur zuverlässigen Detektion schwacher optischer Signale sind Avalanche-Photodioden (APDs) mit ihrer Signalverstärkung bestens geeignet. Durch die Weiterentwicklung von APD-Strukturen konnte hier das mit 640×512 Pixeln erste hochauflösende InGaAs/InAlAs-APD-Array demonstriert werden.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Bisher fokussierte die historiographische Aufarbeitung der Halbleitertechnologie auf die Anwendungen als mikro- und optoelektronische Bauelemente. Dabei geriet die zentrale Rolle der Materialherstellung aus dem Blick, die zum Taktgeber technischen Fortschritts wurde. In den unterschiedlichen Entwicklungsphasen änderte sich der Materialzugang grundlegend. Ausgehend von Mineralien, die in Phase 1 mittels explorativer Experimente selektiert wurden, führte die Entwicklung über das Zwischenstadium mit Modellmaterialien und schließt in der dritten Phase mit der Herstellung von wissenschaftlich basierten Designkonzepten mit periodisch aufeinanderfolgenden, dünnen Schichten von Halbleitermaterialien im Nanomaßstab. Die reproduzierbare Realisierung der komplexen Strukturen gelang mit dem Verfahren der Molekularstrahlepitaxie, das einen Wendepunkt in der Materialherstellung markierte.
Dieser Prozess wurde von grundlegenden Veränderungen der wissenschaftlichen Interaktion begleitet, die zum neuen Typus des sogenannten Materialtechnologen führten. Für die erfolgreiche Einbindung der Materialien als gleichberechtigte Komponente der klassischen Wissenschaftskategorien neben Theorie, Experiment und Instrument war die Diversifizierung der interdisziplinären Kompetenzen erforderlich, die nur dann in vollem Umfang wirksam wurde, wenn die Organisationsstruktur alle relevanten Akteure integrierte und eine offene Kommunikation auf Augenhöhe gewährleistete. Zudem waren langfristige Forschungsstrategien erforderlich, um den Transfer von kumulativ angehäuftem Wissen in Innovationen zu unterstützen. Dieser Zusammenhang zeichnet sich beim Vergleich der amerikanischen und deutschen Aktivitäten während und nach dem Zweiten Weltkrieg sowie am Fallbeispiel der Molekularstrahlepitaxie deutlich ab.
Aktualisiert: 2023-05-15
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Mit dem Allgemeinmediziner Doc Andersen und dem Elektriker Johnny stehen sich zwei vollkommen gegensätzliche Investorentypen gegenüber. Obwohl sich ihre Investmentphilosophie zu Anfang kaum ähnelt, verändern sich die Ansichten, als der Porsche fahrende Elektriker Johnny seinen skeptischen Freund langsam aber sicher überzeugen kann, dass die Welt sich verändert. Und zwar schnell und vor allem nachhaltig.
Energieversorgung, Technologie und die Emerging Markets werden die nächsten Jahre stärker prägen, als es die optimistischsten Prognosen vorhersagen. Mein Elektriker fährt einen Porsche? ist ein kompakter Führer für jeden, der als Anleger und Investor in einer sich rapide verändernden Welt bestehen will.
Aktualisiert: 2023-05-11
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Mit dem Allgemeinmediziner Doc Andersen und dem Elektriker Johnny stehen sich zwei vollkommen gegensätzliche Investorentypen gegenüber. Obwohl sich ihre Investmentphilosophie zu Anfang kaum ähnelt, verändern sich die Ansichten, als der Porsche fahrende Elektriker Johnny seinen skeptischen Freund langsam aber sicher überzeugen kann, dass die Welt sich verändert. Und zwar schnell und vor allem nachhaltig.
Energieversorgung, Technologie und die Emerging Markets werden die nächsten Jahre stärker prägen, als es die optimistischsten Prognosen vorhersagen. Mein Elektriker fährt einen Porsche? ist ein kompakter Führer für jeden, der als Anleger und Investor in einer sich rapide verändernden Welt bestehen will.
Aktualisiert: 2023-05-11
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Mit dem Allgemeinmediziner Doc Andersen und dem Elektriker Johnny stehen sich zwei vollkommen gegensätzliche Investorentypen gegenüber. Obwohl sich ihre Investmentphilosophie zu Anfang kaum ähnelt, verändern sich die Ansichten, als der Porsche fahrende Elektriker Johnny seinen skeptischen Freund langsam aber sicher überzeugen kann, dass die Welt sich verändert. Und zwar schnell und vor allem nachhaltig.
Energieversorgung, Technologie und die Emerging Markets werden die nächsten Jahre stärker prägen, als es die optimistischsten Prognosen vorhersagen. Mein Elektriker fährt einen Porsche? ist ein kompakter Führer für jeden, der als Anleger und Investor in einer sich rapide verändernden Welt bestehen will.
Aktualisiert: 2023-05-11
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Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden anschließend mit konfokaler DIC-Mikroskopie und UV-PL Methoden hinsichtlich ihrer Defekte charakterisiert. Die so charakterisierten Epitaxie-Wafer wurden zur Herstellung von leistungselektronischen Trench-MOSFET Bauelementen verwendet. Nach der Prozessierung wurden die Bauelemente elektrisch charakterisiert. Elektrische Ausbeute-Maps wurden anschließend mit den während der Prozessierung aufgenommenen Defektdaten überlagert und mit entsprechenden Defektklassen abgeglichen. Abschließende Untersuchungen an diesen charakterisierten Bauelementen dienten zur Analyse der Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit.
Aktualisiert: 2023-02-22
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Bisher fokussierte die historiographische Aufarbeitung der Halbleitertechnologie auf die Anwendungen als mikro- und optoelektronische Bauelemente. Dabei geriet die zentrale Rolle der Materialherstellung aus dem Blick, die zum Taktgeber technischen Fortschritts wurde. In den unterschiedlichen Entwicklungsphasen änderte sich der Materialzugang grundlegend. Ausgehend von Mineralien, die in Phase 1 mittels explorativer Experimente selektiert wurden, führte die Entwicklung über das Zwischenstadium mit Modellmaterialien und schließt in der dritten Phase mit der Herstellung von wissenschaftlich basierten Designkonzepten mit periodisch aufeinanderfolgenden, dünnen Schichten von Halbleitermaterialien im Nanomaßstab. Die reproduzierbare Realisierung der komplexen Strukturen gelang mit dem Verfahren der Molekularstrahlepitaxie, das einen Wendepunkt in der Materialherstellung markierte.
Dieser Prozess wurde von grundlegenden Veränderungen der wissenschaftlichen Interaktion begleitet, die zum neuen Typus des sogenannten Materialtechnologen führten. Für die erfolgreiche Einbindung der Materialien als gleichberechtigte Komponente der klassischen Wissenschaftskategorien neben Theorie, Experiment und Instrument war die Diversifizierung der interdisziplinären Kompetenzen erforderlich, die nur dann in vollem Umfang wirksam wurde, wenn die Organisationsstruktur alle relevanten Akteure integrierte und eine offene Kommunikation auf Augenhöhe gewährleistete. Zudem waren langfristige Forschungsstrategien erforderlich, um den Transfer von kumulativ angehäuftem Wissen in Innovationen zu unterstützen. Dieser Zusammenhang zeichnet sich beim Vergleich der amerikanischen und deutschen Aktivitäten während und nach dem Zweiten Weltkrieg sowie am Fallbeispiel der Molekularstrahlepitaxie deutlich ab.
Aktualisiert: 2023-04-17
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Die Mikrosystemtechnik gilt als eine der Schlüsseltechnologien des 21. Jahrhunderts. Dieses Fachbuch trägt dem Bedarf an fundiertem Fachwissen Rechnung und gibt dem Leser einen anschaulichen Einstieg in die faszinierende Welt dieser Technik. Hochaktuelle Anwendungen aus der Praxis von komplexen Mikrosystemen zeigen, wie sich miniaturisierte Funktionselemente auf kleinstem Raum integrieren lassen. Das umfangreiche Literaturverzeichnis ist dabei eine wertvolle Hilfe. Dem Fachmann aber auch Studierenden dient das Buch als Nachschlagewerk für zahlreiche technologische Fragestellungen. In der 3. Auflage sind insbesondere das Kapitel Aufbau- und Verbindungstechnik sowie das Kapitel Simulation überarbeitet.
Aktualisiert: 2022-06-15
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Aktualisiert: 2023-01-30
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Aktualisiert: 2023-02-03
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Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik. Zur weiteren Verdeutlichung des Stoffes wurden in der 4. Auflage Abbildungen und vor allem weitere Übungsaufgaben ergänzt.
"Ulrich Hilleringmann ist mit seinem (...) Buch genau dies gelungen: die komplexe und umfangreiche Materie präzise und doch stets verständlich darzustellen."
Elektronik, 11/2003
Aktualisiert: 2023-04-06
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Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die erweiterte zweite Auflage behandelt zusätzlich neue Entwicklungen der Lithografieverfahren, die Kupfermetallisierung sowie Grundlagen für die Herstellung von MOS-Transistoren mit Kanallängen bis zu 50 nm.
Aktualisiert: 2023-03-14
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Ein Lehrbuch zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik und Integrationstechniken. Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
In der 6. Auflage ...
Aktualisiert: 2023-03-14
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Karsten Wolff untersucht Integrationstechniken für die Verwendung von Halbleiternanopartikeln in Feldeffekttransistoren am Beispiel von Silizium- und Zinkoxid-Partikeln. Er betrachtet sowohl klassische Dünnfilmtransistoren, nanoskalige Einzelpartikeltransistoren als auch Inverterschaltungen. Im Fokus steht dabei das elektrische Verhalten der Bauelemente in Abhängigkeit von der Prozessführung und der Transistorarchitektur.
Aktualisiert: 2023-03-14
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Die Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen, sowie die maschinellen Voraussetzungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Zur Überprüfung des Verständnisses sind Übungsaufgaben zu den einzelnen Themen eingegliedert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse, die zur Integrationstechnik zusammengeführt werden. Es richtet sich an Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Informatik und Physik, sowie an alle, die einen Einblick in die Herstellungstechnik für mikroelektronische Bauelemente gewinnen wollen. Die überarbeitete und ergänzte 3. Auflage enthält zusätzliche Abschnitte zum chemisch-mechanischen Polieren, zur Mehrlagenverdrahtung und zur Kupfermetallisierung.
Aktualisiert: 2023-03-14
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Aktualisiert: 2023-01-23
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Aktualisiert: 2023-02-03
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Aktualisiert: 2023-03-14
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Im Mittelpunkt des einführenden Lehrbuchs für Ingenieure und Physiker stehen die physikalischen Grundprinzipien. Die grundlegenden Sachverhalte und Gleichungen werden mit ausführlichen Herleitungen präsentiert. Jedes Kapitel enthält Zusammenfassungen sowie durchgerechnete Beispiele und Aufgaben (z. T. mit MATLAB zu lösen). Die 2., korrigierte Auflage wurde um eine Daten- und Formelsammlung ergänzt. Kapitel zu aktuellen Trends und Tendenzen sowie Hinweise auf weiterführende Literatur runden den Band ab. Lösungsvorschläge werden im Internet angeboten.
Aktualisiert: 2023-04-01
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