Laser-optische Messverfahren zur Charakterisierung von Oberflächendefekten im Nanometerbereich

Laser-optische Messverfahren zur Charakterisierung von Oberflächendefekten im Nanometerbereich von Tausendfreund,  Andreas
Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, die In-Prozess-Fähigkeit von Streulicht-Messverfahren in Bezug auf eine Charakterisierung von Streulicht-Messverfahren in Bezug auf eine Charakterisierung von stochastisch verteilten Nanostrukturen unter Beweis zu stellen. Die Herausforderung ist hierbei, dass die Einflüsse von aperiodischen Nanostrukturen bzw. deren Defekte auf das Streulicht-Muster in der Regel unbekannt sind. Die Lösung des inversen Problems erfolgt deshalb über die Identifikation von defektspezifischen Merkmalen in einer großen Menge simulierter Feldverteilungen.
Aktualisiert: 2023-06-30
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Laser-optische Messverfahren zur Charakterisierung von Oberflächendefekten im Nanometerbereich

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Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, die In-Prozess-Fähigkeit von Streulicht-Messverfahren in Bezug auf eine Charakterisierung von Streulicht-Messverfahren in Bezug auf eine Charakterisierung von stochastisch verteilten Nanostrukturen unter Beweis zu stellen. Die Herausforderung ist hierbei, dass die Einflüsse von aperiodischen Nanostrukturen bzw. deren Defekte auf das Streulicht-Muster in der Regel unbekannt sind. Die Lösung des inversen Problems erfolgt deshalb über die Identifikation von defektspezifischen Merkmalen in einer großen Menge simulierter Feldverteilungen.
Aktualisiert: 2023-06-30
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Das Ziel der vorliegenden Arbeit ist es, die In-Prozess-Fähigkeit von Streulicht-Messverfahren in Bezug auf eine Charakterisierung von Streulicht-Messverfahren in Bezug auf eine Charakterisierung von stochastisch verteilten Nanostrukturen unter Beweis zu stellen. Die Herausforderung ist hierbei, dass die Einflüsse von aperiodischen Nanostrukturen bzw. deren Defekte auf das Streulicht-Muster in der Regel unbekannt sind. Die Lösung des inversen Problems erfolgt deshalb über die Identifikation von defektspezifischen Merkmalen in einer großen Menge simulierter Feldverteilungen.
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Aktualisiert: 2020-02-12
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