Modellierung und Simulation des Chemisch-mechanischen Planarisierens unter besonderer Berücksichtigung langreichweitiger Wechselwirkungen auf der Chipskala.

Modellierung und Simulation des Chemisch-mechanischen Planarisierens unter besonderer Berücksichtigung langreichweitiger Wechselwirkungen auf der Chipskala. von Bott,  Sascha
Beim CMP-Prozess in der Halbleiterfertigung ist das Erreichen globaler Planarität von herausragender Bedeutung. Die Planarisierungsleistung wird auch von den zu planarisierenden Strukturen selbst beeinflusst. Ihre Topographie innerhalb eines Chips führt zu langreichweitigen Wechselwirkungen. Die globale Planarität hängt somit vom Chiplayout ab. Zum besseren Verständnis dieser Abhängigkeiten gibt es CMP-Modelle auf der Chipskala, die bei der Prozessentwicklung und beim fertigungsgerechten Entwurf unterstützen. Der modellseitige Parameter der die Planarisierungsleistung kennzeichnet ist die Wechselwirkungslänge. Die neu entwickelten Modelle dieser Arbeit, das Global-Höhen- und das Rauheit-Höhen-Modell, zeigen ihre Verbesserungen in der besseren Beschreibung der langreichweitigen Wechselwirkungen. Sie berücksichtigen die nach der Abscheidung vorhandene und auch die sich durch den Prozessverlauf ändernde Topographie besser. Um Zusammenhänge zwischen globaler Planarität und Prozessbedingungen zu zeigen, wurden die Auswirkungen verschiedener CMP-Pads auf die Planarisierungsleistung untersucht. Als Ausblick wurde die Nutzbarmachung der Modelle für zum Druck nichtlineare Prozesse gezeigt.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Kalorik in ferroelektrischen Werkstoffen – von der Variationsformulierung zur Modellierung und Simulation

Kalorik in ferroelektrischen Werkstoffen – von der Variationsformulierung zur Modellierung und Simulation von Wingen,  Marius
Ziel dieser Arbeit ist die Entwicklung eines mikromechanisch und physikalisch motivierten nichtlinearen konstitutiven Modells und dessen Finite-Elemente Formulierung zur Beschreibung wechselseitig gekoppelter thermoelektro-mechanischer Prozesse in Ferroelektrika. U.a. sollen Betrachtungen auf atomarer Ebene eine mathematisch-physikalische Beschreibung wechselseitiger thermo-elektro-mechanischer Kopplungen auf Meso- bzw. Korn-Ebene ermöglichen. Die für die Finite-Elemente-Formulierung notwendige schwache Form und ihre Herleitung führen zudem zu Fragestellungen wie beispielsweise, ob und auf welche Weise die schwache Form eines um die Kalorik erweiterten elektromechanischen und, allgemeiner, eines elektrodynamischen Feldproblems über eine Variationsformulierung hergeleitet werden kann.
Aktualisiert: 2023-06-01
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