Zweiphotonen-Photoemission topologischer Isolatoren

Zweiphotonen-Photoemission topologischer Isolatoren von Otto,  Sebastian
In dieser Arbeit werden die intrinsisch p-dotierten topologischen Isolatoren SnSb(2)Te(4), SnBi(0,1)Sb(1,9)Te(4), SnBi(0,2)Sb(1,8)Te(4) und GeSb(2)Te(4) untersucht, deren topologische Oberflächenzustände innerhalb der Bandlücke bestimmt, und mit Zirkulardichroismus-Messungen auf ihre Spinpolarisation getestet. Der Machbarkeit einer selektiven Anregung spinpolarisierter Zustände, und damit der Erzeugung eines Spinstromes, wird mit zirkular polarisierten Anregungspulsen nachgegangen und im Kontext der ultraschnellen Dynamik der Systeme, sowie aktuellen Entwicklungen in der Literatur diskutiert.
Aktualisiert: 2021-03-25
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Spektroskopische und mikroskopische Untersuchungen zur Bildung von Siliciumoxidschichten aus einem zweistufigen Plasmaverfahren

Spektroskopische und mikroskopische Untersuchungen zur Bildung von Siliciumoxidschichten aus einem zweistufigen Plasmaverfahren von Wurlitzer,  Lisa
In dieser Dissertation wird ein neuartiges Verfahren zur Abscheidung von Siliciumoxid-Schichten mittels eines PECVD-Verfahrens unter der Verwendung von Silan betrachtet. Die explosionsartige Reaktion wird durch eine räumliche und zeitliche Trennung der Reaktionsgase in einem zweistufigen Verfahren verhindert. Im ersten Prozessschritt wird eine Siliciumnitrid-Schicht auf das Substrat mittels eines SiH4/N2-Gasgemisches bei Raumtemperatur durch Zündung einer dielektrisch behinderten Entladung aufgebracht. Diese Beschichtung wird im zweiten Prozessschritt durch die Zündung von sauerstoffhaltigen Plasma zu SiO2 oxidiert. Gegenstand dieser Dissertation ist die spektroskopische Analyse mittels Röntgenphotoelektronen- und Valenzbandspektroskopie der einzelnen Prozessschritte in Abhängigkeit der gewählten Prozessparameter des Partialdruckes, der Behandlungsdauer und der Entladungscharakteristik. Des Weiteren wird die Abhängigkeit von der Sauerstoffquelle für die Oxidation und der Einfluss dieser Parameter auf die Oberflächenmorphologie betrachtet. Schlussendlich kann anhand dieser Untersuchungen auf ein Oxidationsmechanismus der abgeschiedenen Siliciumnitrid-Schicht geschlossen werden. Hierbei handelt es sich um einen diffusionskontrollierten Substitutionsprozess der Stickstoffatome durch Sauerstoffatome. Den geschwindigkeitsbestimmenden Schritt stellt dabei die Diffusion der Sauerstoffatome durch die sich aufbauende Siliciumdioxid-Schicht dar. Dieser Prozess resultiert in einem drei-Schicht-Aufbau, wobei die oberste Schicht weitestgehend aus stöchiometrischen SiO2 mit teilweise Einlagerungen von Stickstoff besteht. Es folgen Siliciumoxinitride als Übergangsschicht. Die unterste Schicht, welche sich direkt auf dem Substrat befindet, besteht aus Siliciumnitrid.
Aktualisiert: 2021-04-29
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Anwendung der HR-EEL-Spektroskopie auf Nanoteilchen und Halbleiter-Oberflächen

Anwendung der HR-EEL-Spektroskopie auf Nanoteilchen und Halbleiter-Oberflächen von Frey,  Sebastian
In den letzten Jahrzehnten hat sich die Oberflächenphysik verstärkt darauf verlegt, reale Vorgänge, etwa in der heterogenen Katalyse, aufzudecken und zu verstehen. Dazu wurden Untersuchungsmethoden immer weiter entwickelt, die sowohl real vorliegende Pulver aus feinen Kristalliten, als auch idealisierte Modellsysteme meist aus monokristallinen Oberflächen nur einer einzigen Orientierung und geringer Defektdichte analysieren können. Zwischen beiden Extremen existiert jedoch ein Mangel an geeigneten Analysemöglichkeiten, der als material gap bekannt ist. Das material gap existiert auch in der Schwingungs-spektroskopie, die sich mit adsorbierten Teilchen beschäftigt und diese über ihre Molekülschwingungen erkennt. Sie kann sowohl Pulver mit der Infrarotspektroskopie (FTIRS) als auch monokristalline Oberflächen mit der hochauflösenden Elektronenenergieverlustspektroskopie (HR-EELS) behandeln. Sollen die realen Systeme vereinfacht werden, beziehungsweise die idealisierten Systeme an Komplexität zunehmen (mehr Orientierungen gleichzeitig, höhere Defektdichte), liefern beide Techniken mit zunehmender Entfernung von ihrem Hauptanwendungsgebiet jedoch immer schwächere Ergebnisse. Auch Computersimulationen stoßen mit steigender Anzahl der zu simulierenden Atome schnell an die Leistungsgrenzen moderner Rechner. Für ein vollumfängliches Verständnis der Probleme, einen Brückenschlag zwischen Modell und Realität, besteht daher ein Bedarf an ergänzenden spektroskopischen Methoden. Diese Dissertation beschäftigt sich damit, die hochauflösende Elektronenenergieverlustspektroskopie für kompliziertere Strukturen bis hin zu Pulvern nutzbar zu machen und so eine Brücke zwischen Modell und Realität zu schlagen. Dazu wurden Optimierungen am experimentellen Aufbau vorgenommen und eine geeignete Probenpräparation entwickelt, um schließlich die erfolgreiche Anwendung der HR-EELS auf ein Pulver zu demonstrieren und die Anlagerung von Wasser und Ameisensäure zu untersuchen. Damit ist der Grundstein gelegt, um den Anwendungsbereich der HR-EELS zu erweitern und einen weiteren Beitrag zur Schließung des material gap zu leisten.
Aktualisiert: 2021-03-31
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Anwendung der HR-EEL-Spektroskopie auf Nanoteilchen und Halbleiter-Oberflächen

Anwendung der HR-EEL-Spektroskopie auf Nanoteilchen und Halbleiter-Oberflächen von Frey,  Sebastian
In den letzten Jahrzehnten hat sich die Oberflächenphysik verstärkt darauf verlegt, reale Vorgänge, etwa in der heterogenen Katalyse, aufzudecken und zu verstehen. Dazu wurden Untersuchungsmethoden immer weiter entwickelt, die sowohl real vorliegende Pulver aus feinen Kristalliten, als auch idealisierte Modellsysteme meist aus monokristallinen Oberflächen nur einer einzigen Orientierung und geringer Defektdichte analysieren können. Zwischen beiden Extremen existiert jedoch ein Mangel an geeigneten Analysemöglichkeiten, der als material gap bekannt ist. Das material gap existiert auch in der Schwingungsspektroskopie, die sich mit adsorbierten Teilchen beschäftigt und diese über ihre Molekülschwingungen erkennt. Sie kann sowohl Pulver mit der Infrarotspektroskopie (FTIRS) als auch monokristalline Oberflächen mit der hochauflösenden Elektronenenergieverlustspektroskopie (HR-EELS) behandeln. Sollen die realen Systeme vereinfacht werden, beziehungsweise die idealisierten Systeme an Komplexität zunehmen (mehr Orientierungen gleichzeitig, höhere Defektdichte), liefern beide Techniken mit zunehmender Entfernung von ihrem Hauptanwendungsgebiet jedoch immer schwächere Ergebnisse. Auch Computersimulationen stoßen mit steigender Anzahl der zu simulierenden Atome schnell an die Leistungsgrenzen moderner Rechner. Für ein vollumfängliches Verständnis der Probleme, einen Brückenschlag zwischen Modell und Realität, besteht daher ein Bedarf an ergänzenden spektroskopischen Methoden. Diese Dissertation beschäftigt sich damit, die hochauflösende Elektronenenergieverlustspektroskopie für kompliziertere Strukturen bis hin zu Pulvern nutzbar zu machen und so eine Brücke zwischen Modell und Realität zu schlagen. Dazu wurden Optimierungen am experimentellen Aufbau vorgenommen und eine geeignete Probenpräparation entwickelt, um schließlich die erfolgreiche Anwendung der HR-EELS auf ein Pulver zu demonstrieren und die Anlagerung von Wasser und Ameisensäure zu untersuchen. Damit ist der Grundstein gelegt, um den Anwendungsbereich der HR-EELS zu erweitern und einen weiteren Beitrag zur Schließung des material gap zu leisten.
Aktualisiert: 2019-07-03
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