Das Bonden dient zum Verbinden von Siliziumwafern und ist in der Mikrosystem- und Halbleitertechnik häufig genutztes Verfahren, aber infolge ständig steigender technischer Anforderungen ist das Handling von großflächigen und ultradünnen Wafern erschwert. Das temporäre Waferbonden bietet die Möglichkeit, den Prozesswafer für notwendige Bearbeitungsschritte auf einem Trägerwafer mittels einer Zwischenschicht zu fixieren und diesen nach Abschluss der Prozessschritte wieder zu lösen. In der vorliegenden Arbeit werden Polyelektrolyt-Multischichten (PEM) als Zwischenschicht zwischen den Siliziumwafern eingesetzt. Das Bondverhalten wird anhand unterschiedlicher PEM-Kombinationen evaluiert, wobei der Fokus der experimentellen Untersuchungen auf der Bestimmung der Bondstärke liegt. Der verwendete Klingentest bietet die Möglichkeit, die Bondenergie in situ in Abhängigkeit der Temperatur zu bestimmen. Ein neuer, hier erstmals untersuchter Ansatz zum temporären Bonden mit Polyelektrolyt-Multischichten basiert auf ihrem anaeroben photokatalytischen Abbau durch Bestrahlung mit UV-Licht.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Das Bonden dient zum Verbinden von Siliziumwafern und ist in der Mikrosystem- und Halbleitertechnik häufig genutztes Verfahren, aber infolge ständig steigender technischer Anforderungen ist das Handling von großflächigen und ultradünnen Wafern erschwert. Das temporäre Waferbonden bietet die Möglichkeit, den Prozesswafer für notwendige Bearbeitungsschritte auf einem Trägerwafer mittels einer Zwischenschicht zu fixieren und diesen nach Abschluss der Prozessschritte wieder zu lösen. In der vorliegenden Arbeit werden Polyelektrolyt-Multischichten (PEM) als Zwischenschicht zwischen den Siliziumwafern eingesetzt. Das Bondverhalten wird anhand unterschiedlicher PEM-Kombinationen evaluiert, wobei der Fokus der experimentellen Untersuchungen auf der Bestimmung der Bondstärke liegt. Der verwendete Klingentest bietet die Möglichkeit, die Bondenergie in situ in Abhängigkeit der Temperatur zu bestimmen. Ein neuer, hier erstmals untersuchter Ansatz zum temporären Bonden mit Polyelektrolyt-Multischichten basiert auf ihrem anaeroben photokatalytischen Abbau durch Bestrahlung mit UV-Licht.
Aktualisiert: 2023-03-31
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Das metallische Waferbonden ist ein Verfahren, das in der Herstellung von hocheffizienten LED-Bauteilen zur Transferierung der funktionalen Schichten vom Epitaxie-Wachstumssubstrat auf ein Träger-Substrat genutzt wird. Durch dieses Verfahren können deutliche Effizienzsteigerungen in Bezug auf die Helligkeit der Bauteile realisiert werden. Somit stellt das Waferbonden einen wichtigen Prozessschritt bei der Herstellung der LED-Bauteile dar.
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurden verschiedene Gold-Zinn und Nickel-Zinn Lotsysteme untersucht. Das Ziel war ein möglichst kostengünstiges Dünnschicht-Lotsystem zur Herstellung von LED-Bauteilen zu entwickeln und hierdurch die Produktionskosten der LED-Bauteile zu senken sowie eine möglichst robuste Lotverbindung zu erzeugen.
Aktualisiert: 2020-07-01
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Diese Arbeit beschreibt die Realisierung linearer Anordnungen von miniaturisierten Leuchtdioden auf flexiblem Substrat und insbesondere den ersten Prototypen eines optischen Cochlea-Implantates.
Aktualisiert: 2021-12-01
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