Die rasante Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten Systemen mit Millionen von Transistoren auf einem Chip hat das Arbeitsfeld der Studenten, Elektroingenieure und Physiker stark verändert. Es stehen zwar sehr gute CAD-Hilfen zur Verfügung, aber viele weitere Schwierigkeiten müssen anders überwunden werden. Die Technologien sind im Laufe der Zeit wesentlich komplexer geworden, durch die Verkleinerung der Strukturen traten immer neue Effekte bei den Bauelementen in Erscheinung. Daher muss man überprüfen, ob auch wirklich alle Effekte in den Transistormodellen richtig erfasst sind und ob die zugehörigen Parameter die durch die Fertigung bedingten Toleranzen richtig wiedergeben. Wird etwas übersehen, so kann es u.U. bei einem gefertigten System zu einem totalen oder weichen Ausfall kommen. Um solche Aufgabenstellungen in der Praxis erfolgreich zu bearbeiten, wird in den ersten vier Kapiteln des Buchs fundiertes Wissen über das grundsätzliche Verhalten der verschiedensten Bauelemente integrierter Schaltungen vermittelt. Aufbauend auf diesen Kenntnissen werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt.
Aktualisiert: 2023-05-29
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In dem vorliegenden Lehrbuch wird zunächst Wissen über das grundsätzliche Verhalten der verschiedensten Bauelemente integrierter Schaltungen vermittelt. Erst dann werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt. Dem Autor gelingt es schlüssig, den weiten Bogen von den Grundlagen der Physik bis zu tatsächlichen Anwendungen und der Produktion von Halbleiterschaltungen zu spannen und so einen umfassenden Überblick über den Designprozess in der Mikroelektronik zu geben.
Aktualisiert: 2023-05-29
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In dem vorliegenden Lehrbuch wird zunächst Wissen über das grundsätzliche Verhalten der verschiedensten Bauelemente integrierter Schaltungen vermittelt. Erst dann werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt. Dem Autor gelingt es schlüssig, den weiten Bogen von den Grundlagen der Physik bis zu tatsächlichen Anwendungen und der Produktion von Halbleiterschaltungen zu spannen und so einen umfassenden Überblick über den Designprozess in der Mikroelektronik zu geben.
Aktualisiert: 2023-05-29
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Die rasante Entwicklung vom Transistor zu großintegrierten Systemen mit Millionen von Transistoren auf einem Chip hat das Arbeitsfeld der Studenten, Elektroingenieure und Physiker stark verändert. Es stehen zwar sehr gute CAD-Hilfen zur Verfügung, aber viele weitere Schwierigkeiten müssen anders überwunden werden. Die Technologien sind im Laufe der Zeit wesentlich komplexer geworden, durch die Verkleinerung der Strukturen traten immer neue Effekte bei den Bauelementen in Erscheinung. Daher muss man überprüfen, ob auch wirklich alle Effekte in den Transistormodellen richtig erfasst sind und ob die zugehörigen Parameter die durch die Fertigung bedingten Toleranzen richtig wiedergeben. Wird etwas übersehen, so kann es u.U. bei einem gefertigten System zu einem totalen oder weichen Ausfall kommen. Um solche Aufgabenstellungen in der Praxis erfolgreich zu bearbeiten, wird in den ersten vier Kapiteln des Buchs fundiertes Wissen über das grundsätzliche Verhalten der verschiedensten Bauelemente integrierter Schaltungen vermittelt. Aufbauend auf diesen Kenntnissen werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt.
Aktualisiert: 2023-03-27
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In dem vorliegenden Lehrbuch wird zunächst Wissen über das grundsätzliche Verhalten der verschiedensten Bauelemente integrierter Schaltungen vermittelt. Erst dann werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt. Dem Autor gelingt es schlüssig, den weiten Bogen von den Grundlagen der Physik bis zu tatsächlichen Anwendungen und der Produktion von Halbleiterschaltungen zu spannen und so einen umfassenden Überblick über den Designprozess in der Mikroelektronik zu geben.
Aktualisiert: 2023-03-28
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Im Rahmen dieser Arbeit wird der Entwurf und die Charakterisierung eines voll integrierten Aufwachempfängerschaltkreises in einer 130 nm-SiGe-BiCMOS-Technologie beschrieben. Der Entwurf des Empfängers erfolgte basierend auf dem in [21] beschriebenen Konzept eines schnell abtastenden Überlagerungsempfängers. Die systemtheoretischen Grundlagen wurden bereits ausführlich in [21] dargelegt, so dass der Kern dieser Arbeit auf der schaltungstechnischen Realisierung der Empfängerkomponenten liegt und entsprechend wichtige Entwurfskriterien abgeleitet werden. Die bis dato verwendete Empfängerarchitektur des analogen Front-Ends wurde um einen rauscharmen HF-Vorverstärker und ein schmalbandiges ZF-Filter zur Verbesserung der Empfindlichkeit erweitert. Außerdem erfolgte der Entwurf für das 2,4 GHz-ISM-Band. Der Fokus dieser Arbeit liegt auf der Reduktion der Stromaufnahmen einzelner Schaltkreise im HF-Signalpfad, wobei dazu vor allem der Einsatz optimierter Schaltungskonzepte und SiGe-Bipolartransistoren untersucht worden ist, um deren Potential für eine leistungseffizientere Implementierung auszunutzen. Der entworfene Analogteil des Aufwachempfängers besteht aus den Komponenten: LNA, Mischer, Oszillator, Limitierverstärker, Zwischenfrequenzverstärker und -filter, Hüllkurvendemodulator und einem 1 Bit-Analog-Digital-Wandler, die gezielt für kurze Einschwingzeiten beim Pulsbetrieb des Empfängers entworfen sind. Zusätzlich wurde eine schaltbare Stromquelle und der Pulsgenerator zur Schaltsignalgenerierung auf dem Prototypen-Schaltkreis integriert.
Die entwickelte digitale Basisbandverarbeitungseinheit implementiert eine vierfache Überabtastung und ein neuartiges Regelverfahren zur zeitlichen Synchronisation der Empfangsdaten mit dem Takt des Senders. Ebenfalls Bestandteil sind zwei 31 Bit-Korrelatoren, die durch eine Vorwärtsfehlerkorrektur eine höhere Störsicherheit beim Datenempfang ermöglichen.
Der Aufwachempfänger erlaubt den Empfang von speziellen 31 Bit-Codesequenzen mit Datenraten von 64 bit/s bis 8192 bit/s , die dem HF-Trägersignal mit der Frequenz 2,4 GHz durch eine An-Aus-Amplitudenmodulation aufgeprägt sind. Die Leistungsaufnahme des IC skaliert mit der Datenrate und erreicht sehr geringe Werte zwischen 3,2 μW und 97 μW durch das optimierte analoge BiCMOS-Front-End. Es konnte eine hohe Empfängerempfindlichkeit von -81 dBm bei Aufwachfehlerraten < 10^−3 unabhängig von der Datenrate gemessen werden. Mit den erreichten Parametern und einer Sendeleistung von 10 dBm konnte eine Reichweite von 191 m bei Leistungsaufnahmen unterhalb von 10 μW gemessen werden.
Aktualisiert: 2019-12-16
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Die vorliegende Arbeit befasst sich mit dem Entwurf eines monolithisch integrierten 60-GHz-Empfängerschaltkreises in einer modernen Silizium-Germanium-Halbleitertechnologie mit 190 GHz maximaler Transitfrequenz. Drei für die Entwicklung von MMIC-Empfängerschaltkreisen äußerst wichtige Prinzipien liegen dem Entwurf zugrunde: die Optimierung von Rauschverhalten und Bandbreite sowie die Betrachtung der maximal erreichbaren Ausgangsleistung. Diese Prinzipien werden detailliert untersucht und typische Schaltungen dahingehend analysiert. Insbesondere wird eine Methode vorgestellt, die es erlaubt, die maximale Ausgangsleistung für die häufig verwendete Kaskodestufe vorherzusagen. Dabei handelt es sich um eine Erweiterung der Methode der Lastkurve nach Cripps. Weiterhin werden Ansätze zur Modellierung von Leitungen vorgestellt und ihre Verwendbarkeit für die unterschiedlichen Simulationsarten diskutiert.
Der Hauptteil der Arbeit behandelt den Entwurf des Empfängerschaltkreises, welcher aus einem breitbandigen Eingangsverstärker mit niedrigem Rauschen und einstellbarer Verstärkung, einem Leistungsteiler, einem direkten Quadratur-Abwärtsmischer, einem Basisbandverstärker, einem Treiberverstärker für das Lokaloszillatorsignal sowie einem 90°-Phasenschieber besteht. Zusätzlich sind verschiedene Referenzstrom- und -spannungsquellen im Schaltkreis integriert. Die gefertigte Schaltung wurde messtechnisch vollständig charakterisiert, und alle Ergebnisse sind wiedergegeben. Der gemessene Mischgewinn beträgt bis zu 40 dB bei einer Bandbreite von mehr als 15 GHz. Die Zweiseitenbandrauschzahl liegt bei moderaten 7,5 dB. Die gemessene Phasen- und Amplitudenabweichung sind geringer als 5° und geringer als 0,15 dB. Die Gesamtschaltung nimmt 360 mW Leistung aus einer 2,2-V-Spannungsquelle auf. Insbesondere die Bandbreite des Empfängerschaltkreises stellt eine Verbesserung des aktuellen Standes der Technik dar.
Aktualisiert: 2019-12-16
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In dem vorliegenden Lehrbuch wird zunächst Wissen über das grundsätzliche Verhalten der verschiedensten Bauelemente integrierter Schaltungen vermittelt. Erst dann werden die wesentlichen Schaltungstechniken für den Entwurf von digitalen und analogen CMOS- und BICMOS-Schaltungen vorgestellt. Dem Autor gelingt es schlüssig, den weiten Bogen von den Grundlagen der Physik bis zu tatsächlichen Anwendungen und der Produktion von Halbleiterschaltungen zu spannen und so einen umfassenden Überblick über den Designprozess in der Mikroelektronik zu geben.
Aktualisiert: 2023-03-27
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