Eine Möglichkeit der direkten Darstellung der Basiseinheit Ampere in der im Jahre 2019 eingeführten
Revision des SI-Systems ist die Verwendung des mit der Frequenz f getakteten Einzelelektronentransports.
Der erzeugte Strom I = ne f ist hierbei nur von der als Naturkonstante festgelegten
Elementarladung e, der Anzahl der Elektronen pro Taktzyklus n und der auf die SI-Basiseinheit
Sekunde rückführbaren Frequenz f abhängig. Eine technische Umsetzung dieses Prinzips in Form
einer Einzelelektronenpumpe ist die Verwendung eines dynamischen Quantenpunkts mit modulierbaren
Tunnelbarrieren. Inhalt dieser Arbeit ist die reproduzierbare und robuste Realisierung dieses
physikalischen Prinzips in einem nanoelektronischem, mesoskopischem Bauelement auf Basis einer
GaAs/AlGaAs-Heterostruktur in einer Kleinserie.
Hierfür wird zunächst der lithographische Einschluss des Quantenpunkts durch die Kombination eines
Shallow Etch mit metallischen Gatestrukturen hinsichtlich der robusten technischen Realisierung
und der hierbei auftretenden Varianz der Lithographieergebnisse untersucht. Zentrale Eigenschaften
der erzeugten statischen Quantenpunkte, wie die Ladeenergie, werden durch elektrische Transportmessungen
bei kryogenen Temperaturen gewonnen und deren Größenordnungen sowie Varianzen
in Verhältnis zu den vorher bestimmten Lithographieergebnissen gesetzt. Hierbei konnte eine hohe
Ausbeute symmetrischer Quantenpunkte bei gleichzeitig guter Reproduzierbarkeit der Ladeenergie
nachgewiesen, sowie auch die maximal möglichen Grenzen des geometrischen Einschlusses, gezeigt
werden.
Für die Validierung der dynamischen Quantenpunkte als Quantenstromnormale wird eine Richtlinie
entwickelt, die nicht mehr alleinig die rückgeführte Messung des gepumpten Stroms gegen ein mit
einer endlichen Messunsicherheit behafteten Transfernormal prüft, sondern die Übereinstimmung der
Fehlerprozesse unter verschiedenen Betriebsbedingungen mit der idealisierten Modellvorstellung des
Quantenpunkts mit dynamischen Tunnelbarrieren validiert. Aufbauend auf den Erkenntnissen des
lithographischen Einschlusses sowie der statischen Quantenpunkteigenschaften mit einer Vielzahl
an Referenzwerten wird hiermit ein Verifizierungs- und Validierungskonzept für eine Richtlinie zur
Herstellung und metrologischen Anwendung von Einzelelektronenpumpen entwickelt und an einem
Probensystem demonstriert.
Schlüsselwörter: Einzelelektronenpumpe, Quantenstromnormal, Quantenmetrologie, dynamischer
Quantenpunkt, GaAs/AlGaAs-Heterostruktur, Reproduzierbarkeit mesoskopischer Bauelemente
Aktualisiert: 2022-09-21
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Die Elektronen-Quantenoptik basiert im Vergleich zur photonischen Quantenoptik auf der Ausnutzung der Quantenzustände von Fermionen anstelle von
Bosonen, deren unterschiedliche Teilchenstatistiken in äquivalenten Versuchsanordnungen sichtbar gemacht werden können. Die Entwicklung getakteter
Elektronenquellen und deren Kombination mit Ladungsdetektoren ermöglichen
die Durchführung und Beobachtung solcher Experimente auf der Skala einzeln
isolierter Elektronenwellenpakete. Ein Beispiel derartiger Elektronenquellen
ist die auch in der Metrologie verwendete nicht-adiabatische Einzelelektronenpumpe, die auf Anregung hin einzelne heiße (d. h. energiereiche) Elektronen
bereitstellt. In dieser Arbeit werden die Grundlagen für die Kombination einer
solchen mit einem elektronenquantenoptischen Experiment bei Überschussenergien fernab des thermischen Gleichgewichtes gelegt, wobei einzelne ballistische
(d. h. sich nahezu wechselwirkungsfrei ausbreitende) Elektronen dann mittels
eines Ladungsdetektors separat nachgewiesen werden.
Dafür wird zunächst anhand einer Vielzahl von Strukturen mit unterschiedlichen Wafern und Geometrien in Abhängigkeit verschiedener Einflussgrößen der
elektronische Transport bei Überschussenergien vieler Millielektronenvolt untersucht. Neben Materialeinflüssen wie Störstellen werden als für die Streuung
heißer Elektronen relevante Wechselwirkungsprozesse hier vor allem ElektronElektron- und Elektron-LO-Phonon-Wechselwirkungen beobachtet, die jeweils
in unterschiedlichen energetischen Regimen dominieren. Es wird insbesondere
die Wechselwirkung mit longitudinal optischen Phononen eingehend untersucht und eine gute Übereinstimmung zu einem anschaulichen Modell eines
Elektrons in einem transversalen parabolischen Einschlusspotential festgestellt.
Insgesamt wird für die in einem interferenzbasierten Experiment entscheidende Minimierung der Streuung ein optimaler Bereich von Überschussenergien
heißer Elektronen in einem intermediären Regime ausgemacht.
Zunächst getrennt davon wird ein Single-Shot-Betriebsmodus für Antrieb
und Auswertung getakteter Einzelelektronenschaltkreise vorgestellt, welcher
aufbauend auf einer Rekonstruktion der Detektorkennlinie die vollständige
Zählstatistik eines Transportexperimentes extrahiert. Anschließend wird dieser
Modus in eine Schaltung mit Injektion heißer ballistischer Elektronen übertragen. Deren erfolgreiche Detektion bedeutet, dass ein Elektron, welches sich
in einem ersten Schritt nahezu wechselwirkungsfrei durch eine Einzelelektronenschaltung bewegt, in einem zweiten Schritt zum Nachweis durch den
Ladungsdetektor kontrolliert und reproduzierbar eingefangen werden kann.
Abschließend wird demonstriert, wie durch Integration zweier solcher Detektorelemente in einer Schaltung bei Injektion mehrerer Elektronen die Koinzidenzkorrelationen bestimmt werden können.
Aktualisiert: 2022-09-21
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E-112: F. Stein:
Charakterisierung und Optimierung von Halbleiter-Einzelelektronenpumpen
154 S., 67 Abb., 3 Tab., ISBN 978-3-95606-375-6, 2018 € 20,00
Diese Arbeit demonstriert die Einzelelektronenpumpen auf Basis einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur als vielversprechenden Kandidaten zur Realisierung des Ampere nach einer Neudefinition des internationalen Einheitensystems im Jahr 2018. Außerdem werden Verfahren zur Optimierung der Messroutinen zur Bestimmung kleiner Ströme im Bereich von ca. 100pA beschrieben.
Aktualisiert: 2022-09-21
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