Entwicklung und Validierung von Einzelelektronenpumpen auf Basis von GaAs/AlGaAs-Quantenpunkten für ein Quantenstromnormal

Entwicklung und Validierung von Einzelelektronenpumpen auf Basis von GaAs/AlGaAs-Quantenpunkten für ein Quantenstromnormal von Gerster,  Thomas
Eine Möglichkeit der direkten Darstellung der Basiseinheit Ampere in der im Jahre 2019 eingeführten Revision des SI-Systems ist die Verwendung des mit der Frequenz f getakteten Einzelelektronentransports. Der erzeugte Strom I = ne f ist hierbei nur von der als Naturkonstante festgelegten Elementarladung e, der Anzahl der Elektronen pro Taktzyklus n und der auf die SI-Basiseinheit Sekunde rückführbaren Frequenz f abhängig. Eine technische Umsetzung dieses Prinzips in Form einer Einzelelektronenpumpe ist die Verwendung eines dynamischen Quantenpunkts mit modulierbaren Tunnelbarrieren. Inhalt dieser Arbeit ist die reproduzierbare und robuste Realisierung dieses physikalischen Prinzips in einem nanoelektronischem, mesoskopischem Bauelement auf Basis einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur in einer Kleinserie. Hierfür wird zunächst der lithographische Einschluss des Quantenpunkts durch die Kombination eines Shallow Etch mit metallischen Gatestrukturen hinsichtlich der robusten technischen Realisierung und der hierbei auftretenden Varianz der Lithographieergebnisse untersucht. Zentrale Eigenschaften der erzeugten statischen Quantenpunkte, wie die Ladeenergie, werden durch elektrische Transportmessungen bei kryogenen Temperaturen gewonnen und deren Größenordnungen sowie Varianzen in Verhältnis zu den vorher bestimmten Lithographieergebnissen gesetzt. Hierbei konnte eine hohe Ausbeute symmetrischer Quantenpunkte bei gleichzeitig guter Reproduzierbarkeit der Ladeenergie nachgewiesen, sowie auch die maximal möglichen Grenzen des geometrischen Einschlusses, gezeigt werden. Für die Validierung der dynamischen Quantenpunkte als Quantenstromnormale wird eine Richtlinie entwickelt, die nicht mehr alleinig die rückgeführte Messung des gepumpten Stroms gegen ein mit einer endlichen Messunsicherheit behafteten Transfernormal prüft, sondern die Übereinstimmung der Fehlerprozesse unter verschiedenen Betriebsbedingungen mit der idealisierten Modellvorstellung des Quantenpunkts mit dynamischen Tunnelbarrieren validiert. Aufbauend auf den Erkenntnissen des lithographischen Einschlusses sowie der statischen Quantenpunkteigenschaften mit einer Vielzahl an Referenzwerten wird hiermit ein Verifizierungs- und Validierungskonzept für eine Richtlinie zur Herstellung und metrologischen Anwendung von Einzelelektronenpumpen entwickelt und an einem Probensystem demonstriert. Schlüsselwörter: Einzelelektronenpumpe, Quantenstromnormal, Quantenmetrologie, dynamischer Quantenpunkt, GaAs/AlGaAs-Heterostruktur, Reproduzierbarkeit mesoskopischer Bauelemente
Aktualisiert: 2022-09-21
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Einzelelektronenschaltungen mit ballistischen heißen Elektronen

Einzelelektronenschaltungen mit ballistischen heißen Elektronen von Freise,  Lars
Die Elektronen-Quantenoptik basiert im Vergleich zur photonischen Quantenoptik auf der Ausnutzung der Quantenzustände von Fermionen anstelle von Bosonen, deren unterschiedliche Teilchenstatistiken in äquivalenten Versuchsanordnungen sichtbar gemacht werden können. Die Entwicklung getakteter Elektronenquellen und deren Kombination mit Ladungsdetektoren ermöglichen die Durchführung und Beobachtung solcher Experimente auf der Skala einzeln isolierter Elektronenwellenpakete. Ein Beispiel derartiger Elektronenquellen ist die auch in der Metrologie verwendete nicht-adiabatische Einzelelektronenpumpe, die auf Anregung hin einzelne heiße (d. h. energiereiche) Elektronen bereitstellt. In dieser Arbeit werden die Grundlagen für die Kombination einer solchen mit einem elektronenquantenoptischen Experiment bei Überschussenergien fernab des thermischen Gleichgewichtes gelegt, wobei einzelne ballistische (d. h. sich nahezu wechselwirkungsfrei ausbreitende) Elektronen dann mittels eines Ladungsdetektors separat nachgewiesen werden. Dafür wird zunächst anhand einer Vielzahl von Strukturen mit unterschiedlichen Wafern und Geometrien in Abhängigkeit verschiedener Einflussgrößen der elektronische Transport bei Überschussenergien vieler Millielektronenvolt untersucht. Neben Materialeinflüssen wie Störstellen werden als für die Streuung heißer Elektronen relevante Wechselwirkungsprozesse hier vor allem ElektronElektron- und Elektron-LO-Phonon-Wechselwirkungen beobachtet, die jeweils in unterschiedlichen energetischen Regimen dominieren. Es wird insbesondere die Wechselwirkung mit longitudinal optischen Phononen eingehend untersucht und eine gute Übereinstimmung zu einem anschaulichen Modell eines Elektrons in einem transversalen parabolischen Einschlusspotential festgestellt. Insgesamt wird für die in einem interferenzbasierten Experiment entscheidende Minimierung der Streuung ein optimaler Bereich von Überschussenergien heißer Elektronen in einem intermediären Regime ausgemacht. Zunächst getrennt davon wird ein Single-Shot-Betriebsmodus für Antrieb und Auswertung getakteter Einzelelektronenschaltkreise vorgestellt, welcher aufbauend auf einer Rekonstruktion der Detektorkennlinie die vollständige Zählstatistik eines Transportexperimentes extrahiert. Anschließend wird dieser Modus in eine Schaltung mit Injektion heißer ballistischer Elektronen übertragen. Deren erfolgreiche Detektion bedeutet, dass ein Elektron, welches sich in einem ersten Schritt nahezu wechselwirkungsfrei durch eine Einzelelektronenschaltung bewegt, in einem zweiten Schritt zum Nachweis durch den Ladungsdetektor kontrolliert und reproduzierbar eingefangen werden kann. Abschließend wird demonstriert, wie durch Integration zweier solcher Detektorelemente in einer Schaltung bei Injektion mehrerer Elektronen die Koinzidenzkorrelationen bestimmt werden können.
Aktualisiert: 2022-09-21
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Charakterisierung und Optimierung von Halbleiter-Einzelelektronenpumpen

Charakterisierung und Optimierung von Halbleiter-Einzelelektronenpumpen von Stein,  Friederike
E-112: F. Stein: Charakterisierung und Optimierung von Halbleiter-Einzelelektronenpumpen 154 S., 67 Abb., 3 Tab., ISBN 978-3-95606-375-6, 2018 € 20,00 Diese Arbeit demonstriert die Einzelelektronenpumpen auf Basis einer GaAs/AlGaAs-Heterostruktur als vielversprechenden Kandidaten zur Realisierung des Ampere nach einer Neudefinition des internationalen Einheitensystems im Jahr 2018. Außerdem werden Verfahren zur Optimierung der Messroutinen zur Bestimmung kleiner Ströme im Bereich von ca. 100pA beschrieben.
Aktualisiert: 2022-09-21
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