Das Buch bietet eine Hilfestellung bei der Auswahl der am besten geeigneten Retrofitlösung für die eigene, spezifische Aufgabenstellung.
Aktualisiert: 2022-06-30
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Digitaler Retrofit
Schlüsselwort: GaAs
Digitaler Retrofit
Das Buch bietet eine Hilfestellung bei der Auswahl der am besten geeigneten Retrofitlösung für die eigene, spezifische Aufgabenstellung.
Aktualisiert: 2023-01-19
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Spin injection into GaAs
In this work spin injection into GaAs from Fe and (Ga,Mn)As was investigated. For the realization of any spintronic device the detailed knowledge about the spin lifetime, the spatial distribution of spin-polarized carriers and the influence of electric fields is essential. In the present work all these aspects have been analyzed by optical measurements of the polar magneto-optic Kerr effect (pMOKE) at the cleaved edge of the samples. Besides the attempt to observe spin pumping and thermal spin injection into n-GaAs the spin solar cell effect is demonstrated, a novel mechanism for the optical generation of spins in semiconductors with potential for future spintronic applications. Also important for spin-based devices as transistors is the presented realization of electrical spin injection into a two-dimensional electron gas.
Aktualisiert: 2021-03-23
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MBE-Wachstum von ZnMnSe zur Spininjektion in GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen
Elektronische Bauteile basieren seit langem auf der Verschiebung elektrischer Ladungen. Das junge Forschungsgebiet der Spinelektronik such nach Wegen, durch Ausnutzung des quantisierten magnetischen Moments der Ladungsträger, ihres Spins, neue Freiheitsgrade und Funktionen zu erschließen. Halbleiterheterostrukturen stellen geeignete Modellsysteme dar, um grundlegende Fragestellungen der Spinelektronik zu erforschen. Besonders reizvoll ist die Verbindung von magnetischen Halbleitern als Quelle spinpolarisierter Ströme mit niederdimensionalen Elektronensystemen, die höchste Ladungsträgerbeweglichkeiten aufweisen. Diese Arbeit gewährt Einblicke in die Entwicklung von Halbleiterheterostrukturen zur elektrischen Injektion spinpolarisierter Elektronen in ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) und stellt ein theoretisches Konzept vor, das den Nachweis der Spininjektion auf der Grundlage der den niederdimensionalen Systemen eigenen Quanteneffekte erbringt. Der Band behandelt erstmals die vielversprechende Kombination von GaAS/AIGaAs-2DEG-Mehrschichtsystemen höchster kristalliner Güte mit Kontakten aus semimagnetischem ZnMnSe, das eine nahezu vollständige Polarisation der Elektronenspins ermöglicht. Die hier gezeigten Messungen des quantisierten Transports sind ein Novum in diesem Materialsystem. Der Leser erfährt, wie sich mit optimierten Methoden des Kristallwachstum und der Grenzflächenpräparation in der Molekularstrahlepitaxie ein deutlicher Anstieg der Elektronenbeweglichkeit in der GaAS/AIGaAs-2DEG-Heterostruktur und eine geeignete energetische Leitungsbandanpassung am heteropolaren Übergang von ZnMnSe zu Ga(AI)As erreichen lässt.
Aktualisiert: 2021-02-17
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