Schaltkammerspezifische Einflussgrößen auf die Vor-Ort-Messung des Innendrucks von Vakuum-Schaltkammern mit dem Magnetron-Verfahren

Schaltkammerspezifische Einflussgrößen auf die Vor-Ort-Messung des Innendrucks von Vakuum-Schaltkammern mit dem Magnetron-Verfahren von Weuffel,  Michael
Moderne Vakuum-Schaltkammern gelten als sealed for life und besitzen nach Herstellerangaben eine betriebliche Lebensdauer von über 30 Jahren. In vielen Fällen ist ein uneingeschränkter Weiterbetrieb über die angegebene Lebensdauer hinaus möglich, wobei insbesondere der Innendruck der Vakuum-Schaltkammer das begrenzende Kriterium hierfür darstellt. Der Innendruck darf einen kritischen Wert im Bereich von pkrit = 10−4…10−3 hPa nicht überschreiten. Für einen Weiterbetrieb benötigen Netz- und Anlagenbetreiber Informationen zum individuellen Zustand der Vakuum-Schaltkammern. Gegenüber anderen Messmethoden ist das Magnetron-Verfahren die geeignetste Möglichkeit für eine quantitative Bestimmung des Innendrucks. Zur mobilen Vor-Ort-Anwendung des Verfahrens existieren bereits Konzepte, deren grundsätzliche Funktionalität durch Prototypen belegt ist. Ziel dieser Arbeit ist die Untersuchung schaltkammerspezifi scher Einflussgrößen, die sich beim Feldeinsatz dieser Konzepte ergeben und welche die Anwendbarkeit sowie die resultierenden Messergebnisse beeinflussen können. Ein gemessener Magnetron-Entladungsstrom erlaubt bei bekannter Entladungsstrom-Druck-Kennlinie der Schaltkammer einen eindeutigen Rückschluss auf deren Innendruck. Die bei unbekannter Kennlinie resultierende Druckspannweite wird auf Basis repräsentativ ausgewählter Schaltkammer-Typen untersucht und beträgt teils weniger als eine, bei vorheriger Abschätzung der Schaltkammer-Größe weniger als eine halbe Druckdekade. Zur zusätzlichen Reduktion der Druckspannweite werden weitere, druckabhängige Kenngrößen, speziell die durch den Getter-Ion Effekt hervorgerufene Innendruck-Reduktion, analysiert. Für die mobile Erzeugung des erforderlichen Magnetfeldes werden verschiedene Permanentmagnet- und Spulenanordnungen hinsichtlich ihrer Anwendbarkeit beim Vor-Ort-Einsatz des Magnetron-Verfahrens untersucht. Gegenüber bestehenden Konzepten, die teils nur eine eingeschränkte Anwendbarkeit aufweisen, wird für Spulensysteme durch die Entwicklung einer aktiven Kühlung oder durch den Betrieb mit gepulstem Spulenstrom eine zuverlässige Messung auf dem vollständigen relevanten Druckmessbereich erreicht. Im Hinblick auf die Aussagekraft der beim Feldeinsatz ermittelten Druckwerte werden der Einfluss der Temperatur sowie der Einfluss von Schalthandlungen unter elektrischer Last auf den Innendruck analysiert. Die Ergebnisse zeigen, dass Schalthandlungen, anders als eine Temperaturänderung, eine dauerhafte Veränderung des Drucks, insbesondere eine teils signifikante Abnahme um mehrere Größenordnungen, bewirken können und dadurch die Lebensdauerprognose einschränken.
Aktualisiert: 2023-03-30
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Hocheffizienter DC/DC-Wandler auf Basis von GaN-Leistungsschaltern für Hochleistungs-Leuchtdioden im Kraftfahrzeug

Hocheffizienter DC/DC-Wandler auf Basis von GaN-Leistungsschaltern für Hochleistungs-Leuchtdioden im Kraftfahrzeug von Werkstetter,  Mario
In der vorliegenden Arbeit werden Möglichkeiten zur Maximierung der Effizienz von stromregelnden DC/DC-Wandlern für den Betrieb von Hochleistungs-LEDs in PKW-und Motorrad-Beleuchtungseinrichtungen untersucht, mit dem Ziel, das Gewicht und den Energieverbrauch der Steuergeräte zu reduzieren und so zu dem stetigen Bestreben der Minimierung der Gesamtfahrzeugemissionen beizutragen. Dafür werden verschiedene, teils sequenziell aufbauende Maßnahmen in Topologie, Bauelementen, Dimensionierung und Betriebsart betrachtet. Eine grundlegende Herausforderung für die Auslegung der Schaltung stellt dabei deren universelle Verwendbarkeit als Gleichteil in einem großen Bereich an Ausgangsstrom und -spannung in den individuellen Scheinwerfersystemen der verschiedenen Fahrzeugderivate dar. Die Grundlage für die Verringerung der Verlustleistung bildet die Vereinfachung der Schaltreglertopologie hinsichtlich des Bauteilaufwands. Dies wird durch die Versorgung der Schaltung aus dem 48 V-Energiebordnetz und die Verwendung der Topologie des Tiefsetzstellers erreicht. Elementarer Anteil dieser Arbeit ist die Untersuchung der Wirksamkeit des Einsatzes neuartiger Galliumnitrid-Leistungsschalter (GaN-HEMTs) anstelle der konventionellen Silizium-MOSFETs, was zunächst an Hand von Berechnungen und schaltungstechnischen, parasitärbehafteten und zeitvarianten Simulationen durchgeführt wird. Bereits bei herkömmlichen Schaltfrequenzen und hartgeschaltetem Betrieb können signifikante Verbesserungen des Wirkungsgrades erreicht werden. Weitergehend wird der Nutzen der durch die GaN-Transistoren ermöglichten höheren Schaltfrequenzen eruiert. Die um bis zu Faktor 20 erhöhte Schaltfrequenz macht den Einsatz einer resonanten Betriebsart (Zero-Voltage-Switching) und einer Luftspule als Hauptinduktivität notwendig. Auf Steuergeräteebene kann somit die Verlustleistung auf unter ein Drittel reduziert werden, was zudem ein deutlich einfacheres und kompakteres Gehäuse ermöglicht, wodurch das Gesamtgewicht etwa halbiert werden kann. Abschließend wird die Schaltung in einem Prototypen praktisch umgesetzt und die Funktionsfähigkeit im ZVS-Betrieb bei Schaltfrequenzen von bis zu 10 MHz verifiziert.
Aktualisiert: 2021-09-10
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