Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging.

Plasmaätzen zur Herstellung von Siliziumdurchkontaktierungen mit kontrolliertem Seitenwinkel für die dreidimensionale Integration im Wafer Level Packaging. von Wilke,  Martin
In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der TSV-Form.
Aktualisiert: 2023-06-01
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In der vorliegenden Promotionsarbeit wird eine Methode zur Kontrolle des Ätzflankenprofils von Through Silicon Vias (Abk. TSV) beim Plasmaätzen von Silizium entwickelt. Hierzu wird die Ätzrate im SF6/O2 - Plasma mathematisch beschrieben und die Verteilung, der an der Ätzung beteiligten Spezies im TSV simuliert. Die lokale Verteilung der Ätzrate im TSV erlaubt Vorhersagen über die Formentstehung und damit eine gezielte Kontrolle der TSV-Form.
Aktualisiert: 2023-03-31
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