Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 μm durch eine Reduktion des Dunkelstroms mit Hilfe von Heteroübergängen. Auf Basis evaluierter theoretischer Modelle werden Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen ausgelegt, hergestellt und die Dunkelstromreduktion anhand der Charakterisierung der Detektoren gezeigt.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Der spektroskopische Fingerabdruck von Substanzen im Infraroten wird in modernen, echtzeitfähigen Anwendungen mit halbleiterbasierten, thermoelektrisch gekühlten Photodetektoren identifiziert. In dieser Arbeit werden InAs/GaSb-Übergitter, die künstliche Halbleiter-Quantenstrukturen darstellen, als Detektormaterial für thermoelektrisch gekühlte Infrarot-Photodetektoren untersucht, entwickelt und optimiert.
Aktualisiert: 2023-06-01
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AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Der spektroskopische Fingerabdruck von Substanzen im Infraroten wird in modernen, echtzeitfähigen Anwendungen mit halbleiterbasierten, thermoelektrisch gekühlten Photodetektoren identifiziert. In dieser Arbeit werden InAs/GaSb-Übergitter, die künstliche Halbleiter-Quantenstrukturen darstellen, als Detektormaterial für thermoelektrisch gekühlte Infrarot-Photodetektoren untersucht, entwickelt und optimiert.
Aktualisiert: 2023-03-31
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AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.
Aktualisiert: 2023-03-31
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Die Arbeit befasst sich mit der Erhöhung der Leistungsfähigkeit von InAs/GaSb-Übergitterdetektoren für den Spektralbereich des langwelligen Infrarots zwischen 8 und 12 μm durch eine Reduktion des Dunkelstroms mit Hilfe von Heteroübergängen. Auf Basis evaluierter theoretischer Modelle werden Übergitterdetektoren mit Heteroübergängen ausgelegt, hergestellt und die Dunkelstromreduktion anhand der Charakterisierung der Detektoren gezeigt.
Aktualisiert: 2023-03-31
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