Das Ziel dieser experimentellen Arbeit ist die prozesstechnologische Umsetzung einer Trench-MOSFET-Technologie auf der Silicium-Seite von 4H-Siliciumcarbid sowie deren elektrische Charakterisierung und Bewertung hinsichtlich des optimalen Designs. Trench-MOSFETs auf 4H-Siliciumcarbid stellen aufgrund der hohen Integrationsdichte im Vergleich zu planaren MOSFETs hocheffiziente Transistoren für das Schalten von großen Strömen und hohen Spannungen dar. Die Entwicklung und Charakterisierung der Kernprozesse Trench, Trench-Nachbehandlung, Gate-Dielektrikum und dielektrische Feldplatten sowie deren Wechselwirkungen erfolgt unter Verwendung von Trench-MOS-Strukturen sowie planaren MOS-Strukturen. Neben der elektrischen Untersuchung erfolgt eine elektronenmikroskopische Charakterisierung der Kernprozesse, was aufgrund der sich ausbildenden Topographie auf den strukturierten Wafern unerlässlich ist.
Aktualisiert: 2019-12-12
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