Schlüsselwort: alternating current

Beiträge zur Chemie der Lanthanoid-Sandwichverbindungen im Kontext funktioneller Materialien

Beiträge zur Chemie der Lanthanoid-Sandwichverbindungen im Kontext funktioneller Materialien von Münzfeld, Luca
Diese Dissertation beschreibt die Synthese und Charakterisierung verschiedener Lanthanoid-Sandwichkomplexe auf Basis von Cyclooctatetraendiid-, Cyclononatetraenid- und Plumboldiylliganden. Im Fokus standen hierbei zunächst die molekularen Festkörperstrukturen der Komplexe. Diese kulminierte in faszinierenden Strukturmotiven wie etwa den ringförmigen Cyclo-octadeca-lanthanoidocenen, einem gemischtvalenten Lanthanoid-Quadrupeldecker oder nahezu koplanaren heteroleptischen Komplexen mit acht- und neungliedrigen Ligandensystemen, welche unerwartete strukturelle Anomalien entlang der Reihe der Lanthanoide aufweisen. Weiterhin wurden die magnetischen und photophysikalischen Eigenschaften ausgewählter Spezies untersucht. Im Zuge dessen konnte gezeigt werden, dass sowohl die Synthese teils leistungsfähiger Einzelmolekülmagnete (SMMs) als auch interessanter Luminophore gelang. Weiterhin wurden Systeme auf Basis des Cyclononatetraenidliganden als molekulare Schalter für Magnetismus und Lumineszenz etabliert, welche selektiv durch verschiedene externe Stimuli angesprochen werden können.
Aktualisiert: 2023-01-01
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Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen

Design von GaN Transistoren für leistungselektronische Anwendungen von Zhytnytska, Rimma
GaN-basierte Transistoren werden seit einigen Jahren als vielversprechende Kandidaten für zukünftige leistungselektronische Anwendungen gehandelt. Bei der Entwicklung dieser Bauelemente sollen insbesondere deren Durchbruchfestigkeit, Stromtragfähigkeit und Schaltgeschwindigkeit erhöht werden. Parallel soll die Effizienz immer besser werden. Um dies zu erreichen, müssen sowohl die epitaxische Struktur als auch das Design der Transistorstruktur optimiert werden. Im Rahmen dieser Arbeit wurde eine umfassende systematische Studie der Designparameter eines AlGaN/GaN-HEMTs durchgeführt. Ziel dabei war es, ein Transistordesign zu entwickeln, das für leistungselektronische Anwendungen optimiert ist. Die entsprechenden Maßnahmen gliederten sich in zwei große Bereiche: „Design für hohe Spannung“ und „Design für niedrigen Ron und hohe Stromtragfähigkeit“. Im Rahmen von Voruntersuchungen wurden systematische Erkenntnisse, Optimierungsmaßnahmen und technologische Lösungen erarbeitet, die in ein neues Transistordesign einflossen. Ein entsprechend optimiertes Design für die angestrebte 65 mΩ-Klasse wurde vorgeschlagen: 134 Finger à 1,6 mm Fingerlänge bei einer Gesamtgateweite Wg = 214,4 mm auf einer Fläche von 10,12 mm². Die optimierten Transistoren wurden am FBH mittels p-GaN-Gate Normally-off-Technologie hergestellt. Im on-state wurde gezeigt, dass die Ströme von Ids max ~ 111 A bei einem Ron von ~ 52 mΩ und erreicht werden. Im off-state erreichten die Leistungselektronik-Transistoren die Durchbruchspannung von 700 V bei einem off-state Leckstrom unter 100 μA. Die hier entwickelten Transistoren zeigten sowohl im on- als auch im off-state ein gutes Potential für den Einsatz in leistungselektronischen Anwendungen bis 600 V.
Aktualisiert: 2023-01-01
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Grundgebiete der Elektrotechnik / Wechselströme, Drehstrom, Leitungen, Anwendungen der Fourier-, der Laplace- und der Z-Transformation

Grundgebiete der Elektrotechnik / Wechselströme, Drehstrom, Leitungen, Anwendungen der Fourier-, der Laplace- und der Z-Transformation von Brabetz, Ludwig, Clausert, Horst, Haas, Oliver, Spieker, Christian, Wiesemann, Gunther
Das zweibändige Werk behandelt die wichtigsten Grundlagen der Elektrotechnik und Informationstechnik. Band 1 befasst sich im Wesentlichen mit linearen elektrischen Netzen und Operationsverstärkerschaltungen bei Gleichstrom sowie mit elektrischen und magnetischen Feldern und wendet sich an Leser, die mit den Grundbegriffen der Differential- und Integralrechnung vertraut sind; anspruchsvollere Hilfsmittel der Feldtheorie werden im Text erläutert. Band 2 behandelt die Wechselstromlehre einschließlich des Drehstromsystems, die Leitungstheorie, die Maxwellschen Gleichungen, die Fourier-Darstellung von Zeitfunktionen, die Berechnung von Ausgleichsvorgängen mit Hilfe der Laplace-Transformation und die Z-Transformation.
Aktualisiert: 2023-03-25
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Grundgebiete der Elektrotechnik / Wechselströme, Drehstrom, Leitungen, Anwendungen der Fourier-, der Laplace- und der Z-Transformation

Grundgebiete der Elektrotechnik / Wechselströme, Drehstrom, Leitungen, Anwendungen der Fourier-, der Laplace- und der Z-Transformation von Brabetz, Ludwig, Clausert, Horst, Haas, Oliver, Spieker, Christian, Wiesemann, Gunther
Das zweibändige Werk behandelt die wichtigsten Grundlagen der Elektrotechnik und Informationstechnik. Band 1 befasst sich im Wesentlichen mit linearen elektrischen Netzen und Operationsverstärkerschaltungen bei Gleichstrom sowie mit elektrischen und magnetischen Feldern und wendet sich an Leser, die mit den Grundbegriffen der Differential- und Integralrechnung vertraut sind; anspruchsvollere Hilfsmittel der Feldtheorie werden im Text erläutert. Band 2 behandelt die Wechselstromlehre einschließlich des Drehstromsystems, die Leitungstheorie, die Maxwellschen Gleichungen, die Fourier-Darstellung von Zeitfunktionen, die Berechnung von Ausgleichsvorgängen mit Hilfe der Laplace-Transformation und die Z-Transformation.
Aktualisiert: 2023-03-25
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