Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab.
Aktualisiert: 2023-06-29
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Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab.
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Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab.
Aktualisiert: 2023-06-28
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Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab.
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Aktualisiert: 2023-06-27
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Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert.
Aktualisiert: 2023-06-27
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Aktualisiert: 2023-06-26
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Für die rückseitige Metallisierung von vielen hocheffizienten passivierten Silicium-Solarzellen bietet eine aufgedampfte Aluminium-Metallisierung entscheidende Vorteile gegenüber einer industriell etablierten Siebdruckmetallisierung. In dieser Arbeit werden Hemmnisse, die hinsichtlich einer industriellen Anwendung einer solchen aufgedampften Metallisierung in Bezug auf Haftung und Lötbarkeit bestehen, adressiert und gelöst.
Aktualisiert: 2023-06-01
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Das In-Mold-Metal-Spraying (IMMS) ist ein indirektes Beschichtungsverfahren zur Metallisierung von Kunststoffbauteilen: Eine auf einem Träger applizierte Metallbeschichtung wird mithilfe des Spritzgießens auf ein Kunststoffbauteil übertragen. Die hohe Effizienz des thermischen Spritzens und des Spritzgießens kann kombiniert werden, ohne die Kunststoffbauteile mit der thermischen und kinetischen Energie des thermischen Spritzens zu belasten. Ein Schlüsselfaktor des IMMS-Prozesses ist die Anpassung der Haftung der Beschichtungen auf dem Träger, um sowohl die Applikation als auch das Übertragen dieser Beschichtungen zu realisieren. In dieser Arbeit wurde das Lichtbogendrahtspritzen (LDS) zur Applikation der Beschichtungen auf dem Träger verwendet. Durch die gezielte Anpassung der Oberflächentopographie des Trägers und der LDS-Prozessparameter konnte das Übertragen von Zn-, Cu- und Al-Beschichtungen realisiert werden.
Die Eigenschaften der Beschichtungen bzw. IMMS-Bauteilen wurden unter Berücksichtigung von drei Beispielsanwendungen analysiert: die Übertragung elektrischer Signale bzw. Energie, die elektromagnetische Abschirmung und der Cool-Touch-Effekt. Bei der Untersuchung der elektrischen Leitfähigkeit der Zn-Beschichtung konnten der Spritzabstand und Gasdruck des LDS-Prozesses als Haupteinflussfaktoren identifiziert werden. Unter Berücksichtigung der Übertragbarkeit besitzen der Gasdruck und die elektrische Spannung den größten Einfluss auf die elektrische Leitfähigkeit der Cu-Beschichtung. Im Fall von Al-Beschichtungen wurde nur ein geringer Einfluss des LDS-Prozesses auf die elektrische Leitfähigkeit der Beschichtung in dem betrachteten Prozessfenster beobachtet. Die Beschichtungen mit einer hohen elektrischen Leitfähigkeit zeigten in den weiteren Untersuchungen herausragende Schirmdämpfung gegenüber elektromagnetischen Wellen und einen sehr guten Cool-Touch-Effekt. Die Haftzugfestigkeit der übertragenen Beschichtung auf den Kunststoffbauteilen wurde ebenfalls untersucht. Dabei wurde die mechanische Verklammerung als Haupthaftmechanismus identifiziert. Darauf basierend werden Maßnahmen zur Erhöhung der Haftung der Beschichtungen auf den Kunststoffbauteilen abgeleitet.
Aktualisiert: 2020-01-28
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Ein Lehrbuch zu den grundlegenden Verfahren der Mikroelektronik und Integrationstechniken. Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 10 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert. Das Buch behandelt neben den Grundlagen auch die technische Durchführung der Einzelprozesse zur Integrationstechnik.
In der 6. Auflage ...
Aktualisiert: 2023-03-14
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Aktualisiert: 2023-03-14
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Die vorliegende Dissertation beschreibt ein neuartiges, lasergestütztes Verfahren zur selektiven Metallisierung dreidimensionaler keramischer Bauteile. Dieses kann für die Herstellung elektronischer Schaltungsträger bzw. mechatronischer Baugruppen eingesetzt werden kann. Die Formgebung der Substrate erfolgt dabei mittels Keramikspritzguss. Durch einen speziellen Sinterprozess wird die Laseraktivierbarkeit der Keramiksubstrate gewährleistet. Daher sind für die Aktivierung keine zusätzlichen Additive im Keramikgefüge erforderlich. Während der Laserstrukturierung der gewünschten Leiterbilder erfolgt eine Aktivierung der keramischen Bauteile in den strukturierten Bereichen. Dadurch weisen die Bereiche eine katalytische Wirkung auf und ermöglichen die Abscheidung unterschiedlicher Metallschichtfolgen mittels außenstromloser chemischer Metallisierung. Die auf diese Weise metallisierten Keramikträger können im Anschluss mit elektronischen Bauelementen bestückt werden.
Im Gegensatz zu den meisten herkömmlichen additiven Metallisierungsverfahren für Keramiken können mit der hier entwickelten lasergestützten Methode dreidimensionale keramische Schaltungsträger realisiert werden. Die abgeschiedenen Metallleiterbahnen bestehen vorwiegend aus der Metallschichtfolge Cu/Ni/Au mit den ungefähren Schichtdicken von 8 µm, 5 µm und 0,1 µm und zeigen eine sehr hohe Haftfestigkeit von bis zu 30 MPa. Die Haftfestigkeitswerte lassen eine hohe Zuverlässigkeit der abgeschiedenen Leiterbahnen erwarten, was durch die Ergebnisse der Zuverlässigkeitsuntersuchungen belegt wird. Die Oberflächenrauheit Rz der Metallschichten liegt im Bereich zwischen 8 µm und 15 µm und verspricht die Anwendbarkeit von Aufbau- und Verbindungstechniken wie zum Beispiel dem Dünndrahtbonden. Dies wird durch Machbarkeitsuntersuchungen nachgewiesen. Anhand zweier Demonstratorbauteile wird weiterhin die Herstellbarkeit von keramischen Schaltungsträgern für die Medizintechnik sowie der Aufbau dreidimensionaler Keramikbauteile dargelegt.
Aufgrund der vorteilhaften Eigenschaften keramischer Materialien in Verbindung mit der dreidimensionalen Formgebung erlaubt das in dieser Arbeit entwickelte und vorgestellte Verfahren die Erschließung neuer Einsatzgebiete für elektronische Schaltungsträger.
Aktualisiert: 2019-12-27
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Aktualisiert: 2023-04-15
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